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氮化镓|仅需200摄氏度,土耳其比尔肯特大学大幅降低氮化镓薄膜制造温度

发表时间: 2018-09-01 15:01:16

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土耳其比尔肯特大学研发出在柔性/刚性衬底上制造氮化镓(GaN)背栅薄膜晶体管(TFT)的低温工艺。据该团队表示,整个制造温度低于200摄氏度,是现有GaN晶体管最低制造温度。

比尔肯特大学团队指出柔性设备在健康监控、可穿戴电子和显示器上的潜在应用。新成果不再需要大多数显示器所用刚性TFT电路所需高温沉积/退火步骤,该步骤会影响有机物和金属氧化物器件的可靠性。尽管氧化锌等金属氧化物的可靠性能够通过封装改进,但会增加制造复杂性和成本。

 

通常,GaN需要在高达1000摄氏度的高温下沉积,但是原子层沉积(ALD)等已经研发出的其他技术改进了对温度的要求。研究团队表示,“截止目前,氮基电子和光电器件已经通过转移方法在柔性衬底上实现了,潜在风险是器件产量的减少,因此阻止了上述所提器件的商业化”。


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