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GaN芯片

单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼,经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶 

单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼,经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶 

第三代半导体材料主要包括 SiC、 GaN 等,因其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3 电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导体材料。 和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求,是半导体材料领域最有前景的材料,在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着重要应用前景,在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低 50%以上的能量损失,最高可以使装备体积减小 75%以上,对人类科技的发展具有里程碑的意义。

 

化合物半导体是指两种或两种以上元素形成的半导体材料, 第二代、第三代半导体多属于这一类。 按照元素数量可以分为二元化合物、三元化合物、四元化合物等等,二元化合物半导体按照组成元素在化学元素周期表中的位置还可分为 III-V 族、 IV-IV 族、 II-VI 族等。 以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的化合物半导体材料已经成为继硅之后发展最快、应用最广、产量最大的半导体材料。 化合物半导体材料具有优越的性能和能带结构: 

 

1) 高电子迁移率; 

2) 高频率特性; 

3)宽幅频宽; 

4)高线性度; 

5)高功率; 

6)材料选择多元性; 

7)抗辐射。

因而化合物半导体多用于射频器件、光电器件、功率器件等制造,具有很大发展潜力;硅器件则多用于逻辑器件、存储器等,相互之间具有不可替代性。


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